受人工智能和大数据驱动，数据存储的需求激增，对存储技术的先进性提出了(le)更(geng)高要求。
在此背景下，存储器巨头之间的技术竞争日趋白热化。
NAND闪存
主(zhu)要厂商正聚焦于堆叠层的突破。
近期，《韩国经济日报》报道称，三星预计将于本月(yue)晚些时(shi)候量(liang)产第9代(dai)NAND闪存（V-NAND）。该公司(si)在2022年(nian)已(yi)经实现了(le)236层的第8代(dai)V-NAND闪存的规模(mo)化生产。即将推出的第9代(dai)V-NAND闪存仍将采用双层NAND闪存堆叠结构，层数将达到290层。业界预测，三星未来的第10代(dai)V-NAND预计将达到430层，届时(shi)将转向3层堆叠结构。
展望未来，三星和铠侠（Kioxia）均已(yi)公布其研(yan)发1000层NAND闪存的计划。三星的目标是在2030年(nian)之前研(yan)发1000层NAND闪存，铠侠则计划在2031年(nian)之前量(liang)产超过1000层的3D NAND闪存芯片。
DRAM
存储器巨头们正聚焦于先进制程(cheng)节(jie)点和3D DRAM技术。
2024年(nian)3月(yue)，美(mei)光(guang)（Micron）在其财报中披露，目前大部分DRAM芯片都处于1α和1β的先进节(jie)点，下一代(dai)1γ DRAM将引入EUV光(guang)刻机，并已(yi)完(wan)成试产。
三星的DRAM芯片技术处于1b纳米级别，近期报告表明，该公司(si)计划在今年(nian)内利用EUV技术开始大规模(mo)生产1c纳米DRAM。同时(shi)，三星也将在2025年(nian)迈入3D DRAM时(shi)代(dai)。该公司(si)已(yi)经展示了(le)两种3D DRAM技术：垂直通(tong)道晶体管和堆叠式DRAM。
SK海(hai)力士也在积极研(yan)发3D DRAM。去年(nian)，BusinessKorea报道称，SK海(hai)力士提出将IGZO作为(wei)新一代(dai)3D DRAM的沟道材料。根据业界消息来源，IGZO是一种由铟、镓、氧(yang)化锌组成的金属氧(yang)化物材料。其最大的优势在于待(dai)机功耗低，非常(chang)适合(he)需要长寿命的DRAM晶体管。这一特(te)性可以通(tong)过调整(zheng)In（铟）、Ga（镓）和ZnO（氧(yang)化锌）的成分比例来很容易实现。
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Source:TrendForce; Intensifying Battle of Technology Among Storage Giants; April 16, 2024
本文作者：常(chang)华Andy，来源：Andy730，原文标题：《存储器大战：NAND闪存和DRAM》
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